บทความนี้มีเนื้อหาที่
สั้นมาก ต้องการเพิ่มเติมเนื้อหาหรือพิจารณารวมเข้ากับบทความอื่นแทน
การสร้างวงจรรวมขนาดใหญ่มาก (อังกฤษ: Very Large Scale Integration หรือ VLSI) เป็นกระบวนการในการสร้างวงจรรวม โดยการรวมทรานซิสเตอร์นับพันตัวให้อยู่ในชิปตัวเดียว VLSI เริ่มต้นในทศวรรษที่ 1970 เมื่อเทคโนโลยีของสารกึ่งตัวนำที่สลับซับซ้อน และเทคโนโลยีสื่อสารทั้งหลายกำลังถูกพัฒนา ไมโครโพรเซสเซอร์เป็นตัวอย่างหนึ่งของ VLSI
รูปแสดง die ที่ใช้สร้างวงจรรวมด้วยกระบวนการ VLSI
ชิปเซมิคอนดักเตอร์ครั้งแรกประกอบด้วยสองทรานซิสเตอร์ มีการเพิ่มทรานซิสเตอร์มากขึ้นต่อมาและเป็นผลให้มีการทำงานของแต่ละหน้าที่มากขึ้น หรือหลายๆระบบถูกรวมเข้าด้วยกันตลอดช่วงเวลา วงจรรวมตัวแรกถูกทำขึ้นประกอบด้วยอุปกรณ์เพียงไม่กี่ตัว มากสุด อาจจะมีสักสิบไดโอด, ทรานซิสเตอร์, ตัวเก็บประจุและตัวต้านทาน ทำให้เป็นไปได้ที่จะบรรจุลอจิกเกทหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเกทลงในอุปกรณ์เดียว ตามที่เรียกกันตอนนี้ว่า เป็นการรวมวงจรขนาดเล็ก (อังกฤษ: Small Scale Integration) หรือ SSI การปรับปรุงด้านเทคนิคต่อมานำไปสู่อุปกรณ์ที่มีหลายร้อยลอจิกเกทที่เรียกว่าการรวมวงจรขนาดกลาง (อังกฤษ: Medium Scale Integration) หรือ MSI การปรับปรุงเพิ่มเติม จะนำไปสู่ การรวมวงจรขนาดใหญ่ (อังกฤษ: Large Scale Integration) หรือ LSI คือระบบที่มีอย่างน้อยหนึ่งพันลอจิกเกท เทคโนโลยีในปัจจุบันได้ขยายออกไปไกลจากจุดนี้ไปแล้ว และไมโครโปรเซสเซอร์ในปัจจุบันมีหลายล้านลอจิกเกทและพันล้านของ ทรานซิสเตอร์เดี่ยวๆ
ครั้งหนึ่ง มีความพยายามที่จะตั้งชื่อและปรับระดับต่างๆของการรวมกลุ่มขนาดใหญ่ที่สูงกว่า VLSI คำเช่นการสร้างวงจรรวมขนาดยิ่งใหญ่ (อังกฤษ: Ultra Large Scale Integration) หรือ ULSI ถูกนำมาใช้ แต่จำนวนมากของเกทและทรานซิสเตอร์ที่มีอยู่ใน อุปกรณ์ที่พบนำมาซึ่งความแตกต่างในการโต้แย้ง คำที่สูงกว่า VLSI จึงไม่ได้นำมาใช้งาน อย่างแพร่หลาย
ณ ต้นปี 2008 ตัวประมวลผลที่มีทรานซิสเตอร์เป็นพันล้านตัวได้ถูกใช้ในเชิงพาณิชย์ เรื่องนี้กลายเป็นเรื่องธรรมดามากขึ้นขณะที่การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงจากรุ่นที่แล้ว ของกระบวนการ 65 นาโนเมตร การออกแบบในปัจจุบัน แตกต่างจากอุปกรณ์ที่เก่าแก่ที่สุด ที่ ใช้ระบบอัตโนมัติที่ครอบคลุมการออกแบบและการสังเคราะห์ตรรกะอัตโนมัติที่จะใช้วางตัวทรานซิสเตอร์ ที่ช่วยให้ความซับซ้อนในการทำงานของตรรกะที่สูงขึ้น บางบล็อกตรรกะที่มีประสิทธิภาพสูง เช่นเซลล์ SRAM (Static random-access memory) ยังได้รับการออกแบบด้วยมือ เพื่อให้แน่ใจว่ามีประสิทธิภาพสูงสุด เทคโนโลยี VLSI อาจจะย้ายไปยัง งานสร้างขนาดเล็กลงไปอีกต่อไป ด้วยการเปิดตัวของเทคโนโลยี NEMS (Nanoelectromechanical systems)
การออกแบบโครงสร้าง การออกแบบโครงสร้างของ VLSI เป็นวิธีการแบบแยกส่วนที่มีต้นตอมาจาก Carver Mead และ Lynn Conway เพื่อการประหยัดพื้นที่ชิป โดยการลดพื้นที่เชื่อมต่อระหว่างการผลิต สิ่งนี้สามารถทำได้โดยการจัดเตรียมซ้ำๆของบล็อกแมโครสี่เหลี่ยม ซึ่งสามารถเชื่อมต่อโดยการเดินสายให้ติดกัน ตัวอย่างเช่นมีการแบ่งรูปแบบของตัว adder ให้อยู่ในแถวของเซลล์ ชิ้นบิตเท่าๆกัน ในการออกแบบที่ซับซ้อน โครงสร้างนี้อาจจะทำได้โดยการลำดับชั้นการทำ nesting
การออกแบบโครงสร้าง VLSI ได้รับความนิยมในช่วงต้นปี 1980 แต่สูญเสียความนิยมในภายหลัง เพราะการถือกำเนิดของการจัดวางและเครื่องมือการกำหนดเส้นทางทำให้เกิด การสูญเสียจำนวนมากของพื้นที่โดยการกำหนดเส้นทาง ซึ่งเป็นที่ยอมทนรับเพราะความคืบหน้าของกฎของมัวร์ เมื่อมีการแนะนำภาษาคำอธิบายฮาร์ดแวร์ KARL ในกลางช่วงปี 1970 , Reiner Hartenstein ประกาศคำว่า "การออกแบบโครงสร้าง VLSI" (เดิมเป็น "การออกแบบโครงสร้าง LSI ") สะท้อนวิธี การเขียนโปรแกรมโครงสร้างของ Edsger Dijkstra โดยขั้นตอนการทำ nesting เพื่อหลีกเลี่ยงโปรแกรมโครงสร้างสปาเก็ตตี้ที่วุ่นวาย
ดูเพิ่ม การสร, างวงจรรวมขนาดใหญ, มาก, บทความน, เน, อหาท, นมาก, องการเพ, มเต, มเน, อหาหร, อพ, จารณารวมเข, าก, บบทความอ, นแทน, งกฤษ, very, large, scale, integration, หร, vlsi, เป, นกระบวนการในการสร, างวงจรรวม, โดยการรวมทรานซ, สเตอร, บพ, นต, วให, อย, ในช, ปต, วเด, ยว, vl. bthkhwamnimienuxhathisnmak txngkarephimetimenuxhahruxphicarnarwmekhakbbthkhwamxunaethn karsrangwngcrrwmkhnadihymak xngkvs Very Large Scale Integration hrux VLSI epnkrabwnkarinkarsrangwngcrrwm odykarrwmthransisetxrnbphntwihxyuinchiptwediyw VLSI erimtninthswrrsthi 1970 emuxethkhonolyikhxngsarkungtwnathislbsbsxn aelaethkhonolyisuxsarthnghlaykalngthukphthna imokhrophressesxrepntwxyanghnungkhxng VLSIrupaesdng die thiichsrangwngcrrwmdwykrabwnkar VLSIkarphthna aekikhchipesmikhxndketxrkhrngaerkprakxbdwysxngthransisetxr mikarephimthransisetxrmakkhuntxmaaelaepnphlihmikarthangankhxngaetlahnathimakkhun hruxhlayrabbthukrwmekhadwykntlxdchwngewla wngcrrwmtwaerkthukthakhunprakxbdwyxupkrnephiyngimkitw maksud xaccamisksibidoxd thransisetxr twekbpracuaelatwtanthan thaihepnipidthicabrrculxcikekthhnunghruxmakkwahnungekthlnginxupkrnediyw tamthieriykkntxnniwa epnkarrwmwngcrkhnadelk xngkvs Small Scale Integration hrux SSI karprbprungdanethkhnikhtxmanaipsu xupkrnthimihlayrxylxcikekththieriykwakarrwmwngcrkhnadklang xngkvs Medium Scale Integration hrux MSI karprbprungephimetim canaipsu karrwmwngcrkhnadihy xngkvs Large Scale Integration hrux LSI khuxrabbthimixyangnxyhnungphnlxcikekth ethkhonolyiinpccubnidkhyayxxkipiklcakcudniipaelw aelaimokhropressesxrinpccubnmihlaylanlxcikekthaelaphnlankhxng thransisetxrediywkhrnghnung mikhwamphyayamthicatngchuxaelaprbradbtangkhxngkarrwmklumkhnadihythisungkwa VLSI khaechnkarsrangwngcrrwmkhnadyingihy xngkvs Ultra Large Scale Integration hrux ULSI thuknamaich aetcanwnmakkhxngekthaelathransisetxrthimixyuin xupkrnthiphbnamasungkhwamaetktanginkarotaeyng khathisungkwa VLSI cungimidnamaichngan xyangaephrhlayn tnpi 2008 twpramwlphlthimithransisetxrepnphnlantwidthukichinechingphanichy eruxngniklayepneruxngthrrmdamakkhunkhnathikarphlitesmikhxndketxrkhnsungcakrunthiaelw khxngkrabwnkar 65 naonemtr karxxkaebbinpccubn aetktangcakxupkrnthiekaaekthisud thi ichrabbxtonmtithikhrxbkhlumkarxxkaebbaelakarsngekhraahtrrkaxtonmtithicaichwangtwthransisetxr thichwyihkhwamsbsxninkarthangankhxngtrrkathisungkhun bangblxktrrkathimiprasiththiphaphsung echnesll SRAM Static random access memory yngidrbkarxxkaebbdwymux ephuxihaenicwamiprasiththiphaphsungsud ethkhonolyi VLSI xaccayayipyng ngansrangkhnadelklngipxiktxip dwykarepidtwkhxngethkhonolyi NEMS Nanoelectromechanical systems karxxkaebbokhrngsrang aekikhkarxxkaebbokhrngsrangkhxng VLSI epnwithikaraebbaeykswnthimitntxmacak Carver Mead aela Lynn Conway ephuxkarprahydphunthichip odykarldphunthiechuxmtxrahwangkarphlit singnisamarththaidodykarcdetriymsakhxngblxkaemokhrsiehliym sungsamarthechuxmtxodykaredinsayihtidkn twxyangechnmikaraebngrupaebbkhxngtw adder ihxyuinaethwkhxngesll chinbitethakn inkarxxkaebbthisbsxn okhrngsrangnixaccathaidodykarladbchnkartha nestingkarxxkaebbokhrngsrang VLSI idrbkhwamniyminchwngtnpi 1980 aetsuyesiykhwamniyminphayhlng ephraakarthuxkaenidkhxngkarcdwangaelaekhruxngmuxkarkahndesnthangthaihekid karsuyesiycanwnmakkhxngphunthiodykarkahndesnthang sungepnthiyxmthnrbephraakhwamkhubhnakhxngkdkhxngmwr emuxmikaraenanaphasakhaxthibayhardaewr KARL inklangchwngpi 1970 Reiner Hartenstein prakaskhawa karxxkaebbokhrngsrang VLSI edimepn karxxkaebbokhrngsrang LSI sathxnwithi karekhiynopraekrmokhrngsrangkhxng Edsger Dijkstra odykhntxnkartha nesting ephuxhlikeliyngopraekrmokhrngsrangspaekttithiwunwayduephim aekikhwngcrrwm bthkhwamekiywkbethkhonolyi hrux singpradisthniyngepnokhrng khunsamarthchwywikiphiediyidodyephimkhxmulekhathungcak https th wikipedia org w index php title karsrangwngcrrwmkhnadihymak amp oldid 5266681, wikipedia, วิกิ หนังสือ, หนังสือ, ห้องสมุด,
บทความ
, อ่าน, ดาวน์โหลด, ฟรี, ดาวน์โหลดฟรี, mp3, วิดีโอ, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, รูปภาพ, เพลง, เพลง, หนัง, หนังสือ, เกม, เกม
